应用领域
RCA清洗,沉积前清洗,蚀刻后清洗,CMP后清洗,湿法刻蚀,EPI前清洗等
工艺指标
蚀刻均匀性:片内:≤3%;片间:≤3%;批次间:≤3%;
颗粒控制:增加值<20颗@0.09微米(带氧化硅膜测试,来料颗粒<50颗)
金属离子:<5E9 atoms/cm2
设备配置
2~4腔体(可定制)
2~4 SMIF/FOUP
支持化学液C.C.S.S.、L.C.S.S.
加热控制,浓度控制,流量控制,压力控制等
酸、碱、有机液排风分离
支持化学液回收
高清摄像头,纯水防静电装置(可选)
全面支持SECS/GEM通讯协议