单片湿法刻蚀清洗设备-苏州智程半导体科技股份有限公司

单片湿法刻蚀清洗设备（SC3100系列）

工艺覆盖

RCA清洗，GATE清洗，氧化层清洗，湿法去胶

晶圆尺寸

300mm

工艺指标

蚀刻速率均匀性(%) : <3%
颗粒控制：<10颗@19纳米，裸硅
金属离子：<1E8 atoms/cm2

工艺应用

颗粒去除金属污染去除有机物污染去除湿法去胶前道及后道清洗氧化刻蚀及去除铝互连清洗铜互连清洗

设备配置

产能：300片/小时
8腔体
4FOUP
可配置药液：DHF,SC1,SC2,DIO3,DICO2,IPA,背喷配置可供选择
自动换液，补液
加热控制，浓度控制，流量控制，压力控制等
过温保护，漏液检知，分类排放
全面支持SECS/GEM通讯协议