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专注半导体湿制程设备产业投资与发展布局
全面实现半导体湿制程设备的国产替代

单片湿法刻蚀清洗设备 (SC3100系列)

工艺覆盖
RCA清洗,GATE清洗,氧化层清洗,湿法去胶
晶圆尺寸
300mm
工艺指标
蚀刻速率均匀性(%) : <3%
颗粒控制:<10颗@19纳米,裸硅
金属离子:<1E8 atoms/cm2
工艺应用
颗粒去除 金属污染去除 有机物污染去除 湿法去胶 前道及后道清洗 氧化刻蚀及去除 铝互连清洗 铜互连清洗
设备配置
产能:300片/小时
8腔体
4FOUP
可配置药液:DHF,SC1,SC2,DIO3,DICO2,IPA,背喷配置可供选择
自动换液,补液
加热控制,浓度控制,流量控制,压力控制等
过温保护,漏液检知,分类排放
全面支持SECS/GEM通讯协议
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苏州智程半导体科技股份有限公司
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