产品简介
该系列是利用去胶液(又称剥离液)溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构。该工艺一次性完成去掉多余金属层和去胶的工艺,省去干法刻蚀工艺,流程更短成本显著降低,广泛应用于化合物半导体,MEMS、表面波器件、LED等领域。
应用领域
功率器件、滤波器、MEMS、LED等领域去胶剥离金属工艺
设备配置
标准配置3腔(浸泡、剥离、清洗)
支持选配多工艺腔体
大转速3000RPM,速度精度±1RPM
NMP加热温度 室温~90℃±2℃
高压去胶高压力可达18MPa
工艺药液可回收,循环过滤使用
配有超声波去胶功能
配有CO2自动灭火系统